JANS1N6661US

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Spécifications

Modèle de produit

JANS1N6661US
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 225V 500MA D5D
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JANS1N6661US.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

500mA
Tension - Ventilation

D-5A
Séries

Military, MIL-PRF-19500/587
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

SQ-MELF, A
Autres noms

1086-16020
1086-16020-MIL
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

JANS1N6661US
Description élargie

Diode Standard 225V 500mA Surface Mount D-5A
Configuration diode

50nA @ 225V
La description

DIODE GEN PURP 225V 500MA D5D
Courant - fuite, inverse à Vr

1V @ 400mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

225V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 175°C

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "JANS1N6661US".

JANS1N6491US

La description: DIODE ZENER 5.6V 1.5W D5A

Fabricant: Microsemi

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JANS1N6661US

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