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JANS1N6638

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Spécifications
  • Modèle de produit
    JANS1N6638
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 125V 300MA DO204
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.1V @ 200mA
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    125V
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/578
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    4.5ns
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Autres noms
    1086-15153
    1086-15153-MIL
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 175°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 125V 300mA Through Hole
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    500nA @ 125V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    300mA
  • Capacité à Vr, F
    2.5pF @ 0V, 1MHz
SSM6N16FUTE85LF

SSM6N16FUTE85LF

La description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock

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