JAN1N6638

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N6638
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N6638.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

300mA
Séries

Military, MIL-PRF-19500/578
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

2.5pF @ 0V, 1MHz
Polarisation

D, Axial
Autres noms

1086-20004
1086-20004-MIL
Température d'utilisation - Jonction

20ns
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Référence fabricant

JAN1N6638
Description élargie

Diode Standard 150V 300mA Through Hole
Configuration diode

500nA @ 150V
La description

DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr

1.1V @ 200mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

150V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 175°C

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N6638".

JAN1N6630

La description: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Fabricant: Microsemi

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