JAN1N6629

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N6629
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N6629.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.4V @ 1.4A
Tension - inverse (Vr) (max)

880V
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/590
Temps de recouvrement inverse (trr)

50ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

E, Axial
Autres noms

1086-2307
1086-2307-MIL
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 880V 1.4A Through Hole
Courant - fuite, inverse à Vr

2µA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1.4A
Capacité à Vr, F

-

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Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N6629".

JAN1N6638

La description: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation

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