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JAN1N3611

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N3611
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N3611.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1A
Séries

Military, MIL-PRF-19500/228
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

A, Axial
Autres noms

1086-1996
1086-1996-MIL
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Référence fabricant

JAN1N3611
Description élargie

Diode Standard 200V 1A Through Hole
Configuration diode

100µA @ 300V
La description

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr

1.1V @ 1A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

200V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 175°C

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JAN1N3595-1

La description: DIODE SW 125V 150MA DO35

Fabricant: Microsemi Corporation

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