JAN1N3600

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N3600
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N3600.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

200mA (DC)
Tension - Ventilation

DO-7
Séries

Military, MIL-PRF-19500/231
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

DO-204AA, DO-7, Axial
Autres noms

1086-16797
1086-16797-MIL
Température d'utilisation - Jonction

4ns
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Référence fabricant

JAN1N3600
Description élargie

Diode Standard 50V 200mA (DC) Through Hole DO-7
Configuration diode

100nA @ 50V
La description

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7
Courant - fuite, inverse à Vr

1V @ 200mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

50V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 175°C

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JAN1N3326B

La description: DIODE ZENER 36V 50W DO5

Fabricant: Microsemi

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