APT21M100J

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Spécifications

Modèle de produit

APT21M100J
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT21M100J.pdf
2.APT21M100J.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

ISOTOP®
Séries

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (max)

462W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 21A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

21A (Tc)

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livraison
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APT20SCD120S

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK

Fabricant: Microsemi

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