APT20SCD65K

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Spécifications

Modèle de produit

APT20SCD65K
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE SILICON 650V 32A TO220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT20SCD65K.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.8V @ 20A
Tension - inverse (Vr) (max)

650V
Package composant fournisseur

TO-220 [K]
La vitesse

No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

0ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-220-2
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Silicon Carbide Schottky
Description détaillée

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 32A Through Hole TO-220 [K]
Courant - fuite, inverse à Vr

400µA @ 650V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

32A
Capacité à Vr, F

680pF @ 100mV, 1MHz

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Ce qui suit est des produits liés à "APT20SCD65K".

APT20M38SVFRG

La description: MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK

Fabricant: Microsemi

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