APT200GT60JR

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Spécifications

Modèle de produit

APT200GT60JR
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 600V 195A ISOTOP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT200GT60JR.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 200A
Package composant fournisseur

SOT-227
Séries

Thunderbolt IGBT®
Puissance - Max

500W
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

8.65nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

NPT
Description détaillée

IGBT Module NPT Single 600V 195A 500W Chassis Mount SOT-227
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

25µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

195A
Configuration

Single

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APT200GT60JR".

APT200GN60JDQ4

La description: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Fabricant: Microsemi

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