APT18M100B

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Spécifications

Modèle de produit

APT18M100B
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT18M100B.pdf
2.APT18M100B.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247 [B]
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

700 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max)

625W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

APT18M100BMI
APT18M100BMI-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4845pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 18A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

18A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "APT18M100B".

APT200GN60JG

La description: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Fabricant: Microsemi

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