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APT12067B2LLG

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Spécifications

Modèle de produit

APT12067B2LLG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT12067B2LLG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

T-MAX™ [B2]
Séries

POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

670 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max)

565W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4420pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1200V
Description détaillée

N-Channel 1200V 18A (Tc) 565W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

18A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "APT12067B2LLG".

APT1201R4BFLLG

La description: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Fabricant: Microsemi

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