APT1201R4BFLLG

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Spécifications

Modèle de produit

APT1201R4BFLLG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT1201R4BFLLG.pdf
2.APT1201R4BFLLG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247 [B]
Séries

POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

28 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2030pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1200V
Description détaillée

N-Channel 1200V 9A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APT1201R4BFLLG".

APT10SCD120K

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Fabricant: Microsemi

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