APT10DC120HJ

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Spécifications

Modèle de produit

APT10DC120HJ
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT10DC120HJ.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

1.2kV
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.8V @ 10A
La technologie

Silicon Carbide Schottky
Package composant fournisseur

SOT-227
Séries

-
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Single Phase
Description détaillée

Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 1.2kV Chassis Mount SOT-227
Courant - fuite, inverse à Vr

200µA @ 1200V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

10A

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Ce qui suit est des produits liés à "APT10DC120HJ".

APT106N60B2C6

La description: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Fabricant: Microsemi

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