APT102GA60B2

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Spécifications

Modèle de produit

APT102GA60B2
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 600V 183A 780W TO247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT102GA60B2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 62A
Condition de test

400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

28ns/212ns
énergie de commutation

1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
Séries

POWER MOS 8™
Puissance - Max

780W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

PT
gate charge

294nC
Description détaillée

IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

307A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

183A

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Ce qui suit est des produits liés à "APT102GA60B2".

APT106N60B2C6

La description: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Fabricant: Microsemi

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