APT10035B2FLLG

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Spécifications

Modèle de produit

APT10035B2FLLG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT10035B2FLLG.pdf
Modèle ECAD
Tension - Test

5185pF @ 25V
Tension - Ventilation

T-MAX™ [B2]
Vgs (th) (Max) @ Id

370 mOhm @ 14A, 10V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Séries

POWER MOS 7®
État RoHS

Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs

28A (Tc)
Polarisation

TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

APT10035B2FLLG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

186nC @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

5V @ 2.5mA
Fonction FET

N-Channel
Description élargie

N-Channel 1000V (1kV) 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Tension drain-source (Vdss)

-
La description

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1000V (1kV)
Ratio de capacité

690W (Tc)

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livraison
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APT1003RKLLG

La description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Fabricant: Microsemi

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