APT1002RBNG

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Spécifications

Modèle de produit

APT1002RBNG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247AD
Séries

POWER MOS IV®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6 Ohm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

240W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-247AD
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "APT1002RBNG".

APT10045B2LLG

La description: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Fabricant: Microsemi

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