2N5031

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Spécifications

Modèle de produit

2N5031
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS RF NPN 200MW 20MA TO72
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2N5031.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

10V
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-72
Séries

-
Puissance - Max

200mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Température de fonctionnement

-
Noise Figure (dB Typ @ f)

-
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Gain

12dB @ 400MHz
Fréquence - Transition

400MHz
Description détaillée

RF Transistor NPN 10V 20mA 400MHz 200mW Through Hole TO-72
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 1mA, 6V
Courant - Collecteur (Ic) (max)

20mA

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2N5013

La description: NPN SILICON TRANSISTOR

Fabricant: Microsemi

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