2N5012S

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Spécifications

Modèle de produit

2N5012S
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANSISTOR NPN TO-39
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

700V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 5mA, 25mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-39 (TO-205AD)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/727
Puissance - Max

1W
Package / Boîte

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

Not Applicable
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 200mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 25mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

10nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

200mA

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La description: NPN SILICON TRANSISTOR

Fabricant: Microsemi

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