2N3440U4

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Spécifications

Modèle de produit

2N3440U4
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

POWER BJT
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

2N3440U4.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

250V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 50mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

U4
Séries

-
Puissance - Max

5W
Package / Boîte

3-SMD, No Lead
Autres noms

2N3440U4MS
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 1A 5W Surface Mount U4
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

2µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1A

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Ce qui suit est des produits liés à "2N3440U4".

2N3442

La description: TRANS NPN 140V 10A TO3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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