2N3439U4

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Spécifications

Modèle de produit

2N3439U4
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

NPN TRANSISTOR
État sans plomb / État RoHS

RoHS non conforme
Livret des spécifications

2N3439U4.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

350V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 50mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

U4
Séries

-
Statut RoHS

RoHS non-compliant
Puissance - Max

800mW
Package / Boîte

3-SMD, No Lead
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 1A 800mW Surface Mount U4
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

2µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1A

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2N3420

La description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS

Fabricant: Microsemi

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