1N4154

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Spécifications

Modèle de produit

1N4154
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N4154.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1V @ 30mA
Tension - inverse (Vr) (max)

35V
Package composant fournisseur

DO-35
La vitesse

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

2ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

DO-204AH, DO-35, Axial
Autres noms

1N4154MS
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 35V 200mA Through Hole DO-35
Courant - fuite, inverse à Vr

100nA @ 25V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

200mA
Capacité à Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "1N4154".

1N4154_T50R

La description: DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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