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Spécifications

Modèle de produit

1N4153-1
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N4153-1.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

880mV @ 20mA
Tension - inverse (Vr) (max)

50V
Package composant fournisseur

DO-35
La vitesse

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

4ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

DO-204AH, DO-35, Axial
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 50V 150mA Through Hole DO-35
Courant - fuite, inverse à Vr

50nA @ 50V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

150mA
Capacité à Vr, F

-

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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1N4153_T50R

La description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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