RGTH40TS65GC11

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Spécifications

Modèle de produit

RGTH40TS65GC11
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 650V 40A 144W TO-247N
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.RGTH40TS65GC11.pdf
2.RGTH40TS65GC11.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A
Condition de test

400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

22ns/73ns
énergie de commutation

-
Package composant fournisseur

TO-247N
Séries

-
Puissance - Max

144W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

15 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

40nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V 40A 144W Through Hole TO-247N
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

80A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

40A

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RGTH00TS65DGC11

La description: IGBT 650V 85A 277W TO-247N

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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