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3432845RGTH00TS65GC11 imageLAPIS Semiconductor

RGTH00TS65GC11

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RGTH00TS65GC11
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 650V 85A 277W TO-247N
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.RGTH00TS65GC11.pdf
    2.RGTH00TS65GC11.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    650V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Condition de test
    400V, 50A, 10 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    39ns/143ns
  • énergie de commutation
    -
  • Package composant fournisseur
    TO-247N
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    277W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    15 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    Trench Field Stop
  • gate charge
    94nC
  • Description détaillée
    IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    200A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    85A

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PBC20SGBN

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La description: CONN HEADER .100 SINGL R/A 20POS

Fabricant: Sullins Connector Solutions
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