DTC123JCAT116

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Spécifications

Modèle de produit

DTC123JCAT116
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.DTC123JCAT116.pdf
2.DTC123JCAT116.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

SST3
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

47 kOhms
Résistance - Base (R1)

2.2 kOhms
Puissance - Max

200mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

DTC123JCAMGT116
DTC123JCAT116TR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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Ce qui suit est des produits liés à "DTC123JCAT116".

DTC123EETL

La description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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