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6526315DTC123EMT2L imageLAPIS Semiconductor

DTC123EMT2L

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DTC123EMT2L
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.DTC123EMT2L.pdf
    2.DTC123EMT2L.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    VMT3
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    2.2 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Puissance - Max
    150mW
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    SOT-723
  • Autres noms
    DTC123EMT2LCT
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    20 @ 20mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    DTC123

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Ce qui suit est des produits liés à "DTC123EMT2L".
DSC400-1111Q0001KE2

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La description: MEMS CLOCK GENERATOR 4 OUTPUT

Fabricant: Micrel / Microchip Technology
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