EPC8009ENGR

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Spécifications

Modèle de produit

EPC8009ENGR
Fabricant / marque

EPC
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.EPC8009ENGR.pdf
2.EPC8009ENGR.pdf
Modèle ECAD
Tension - Test

47pF @ 32.5V
Tension - Ventilation

Die
Vgs (th) (Max) @ Id

138 mOhm @ 500mA, 5V
La technologie

GaNFET (Gallium Nitride)
Séries

eGaN®
État RoHS

Tray
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1A (Ta)
Polarisation

Die
Autres noms

917-EPC8009ENGR
EPC8009ENGG
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

EPC8009ENGR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

0.38nC @ 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.5V @ 250µA
Fonction FET

N-Channel
Description élargie

N-Channel 65V 4.1A (Ta) Surface Mount Die
Tension drain-source (Vdss)

-
La description

TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

65V
Ratio de capacité

-

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "EPC8009ENGR".

EPC8QI100N

La description: IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP

Fabricant: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)

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