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EPC8002

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Spécifications

Modèle de produit

EPC8002
Fabricant / marque

EPC
Quantité en stock

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La description

TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.EPC8002.pdf
2.EPC8002.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

+6V, -4V
La technologie

GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur

Die
Séries

eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

530 mOhm @ 500mA, 5V
Dissipation de puissance (max)

-
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

Die
Autres noms

917-1118-1
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

21pF @ 32.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

5V
Tension drain-source (Vdss)

65V
Description détaillée

N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2A (Ta)

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Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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La description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE

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