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EPC2033ENGR

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Spécifications

Modèle de produit

EPC2033ENGR
Fabricant / marque

EPC
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Tension - Test

1140pF @ 75V
Tension - Ventilation

Die
Vgs (th) (Max) @ Id

7 mOhm @ 25A, 5V
La technologie

GaNFET (Gallium Nitride)
Séries

eGaN®
État RoHS

Tray
Rds On (Max) @ Id, Vgs

31A (Ta)
Polarisation

Die
Autres noms

917-EPC2033ENGR
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

EPC2033ENGR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

10nC @ 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.5V @ 9mA
Fonction FET

N-Channel
Description élargie

N-Channel 150V 31A (Ta) Surface Mount Die
Tension drain-source (Vdss)

-
La description

TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

150V
Ratio de capacité

-

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livraison
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EPC2034ENGR

La description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE

Fabricant: EPC

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