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EPC2035

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Spécifications
  • Modèle de produit
    EPC2035
  • Fabricant / marque
    EPC
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.EPC2035.pdf
    2.EPC2035.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 800µA
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • La technologie
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Package composant fournisseur
    Die
  • Séries
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45 mOhm @ 1A, 5V
  • Dissipation de puissance (max)
    -
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    Die
  • Autres noms
    917-1099-6
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    115pF @ 30V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    1.15nC @ 5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    60V
  • Description détaillée
    N-Channel 60V 1A (Ta) Surface Mount Die
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    1A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "EPC2035".
SIT8209AI-82-25S-166.600000Y

SIT8209AI-82-25S-166.600000Y

La description: -40 TO 85C, 7050, 25PPM, 2.5V, 1

Fabricant: SiTime
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