DI9952T

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Spécifications

Modèle de produit

DI9952T
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

-
Package composant fournisseur

8-SOP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

-
Puissance - Max

2W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

DI9952TR
Température de fonctionnement

-
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

-
type de FET

N and P-Channel
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A 2W Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.9A
Numéro de pièce de base

DI9952

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TPS1120DR

La description:

Fabricant: Luminary Micro / Texas Instruments

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