DI9400T

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Spécifications

Modèle de produit

DI9400T
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

DI9400T.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-SMD, Gull Wing
Autres noms

DI9400
DI9400CT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 3.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.4A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "DI9400T".

NTMS4807NR2G

La description: MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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