ALD111933PAL

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Spécifications

Modèle de produit

ALD111933PAL
Fabricant / marque

Advanced Linear Devices, Inc.
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ALD111933PAL.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.35V @ 1µA
Package composant fournisseur

8-PDIP
Séries

EPAD®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

500 Ohm @ 5.9V
Puissance - Max

500mW
Emballage

Tube
Package / Boîte

8-DIP (0.300", 7.62mm)
Autres noms

1014-1051
Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

-
type de FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

10.6V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

-

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "ALD111933PAL".

ALD114804SCL

La description: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Fabricant: Advanced Linear Devices, Inc.

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