ALD1115PAL

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Spécifications

Modèle de produit

ALD1115PAL
Fabricant / marque

Advanced Linear Devices, Inc.
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ALD1115PAL.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1µA
Package composant fournisseur

8-PDIP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1800 Ohm @ 5V
Puissance - Max

500mW
Emballage

Tube
Package / Boîte

8-DIP (0.300", 7.62mm)
Autres noms

1014-1044
Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

-
type de FET

N and P-Channel Complementary
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

10.6V
Description détaillée

Mosfet Array N and P-Channel Complementary 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

-

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Ce qui suit est des produits liés à "ALD1115PAL".

ALD110904SAL

La description: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Fabricant: Advanced Linear Devices, Inc.

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