NTD20N06-001

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Spécifications

Modèle de produit

NTD20N06-001
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

NTD20N06-001.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I-PAK
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

46 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.88W (Ta), 60W (Tj)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms

NTD20N06-001OS
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1015pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 20A (Ta) 1.88W (Ta), 60W (Tj) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

20A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "NTD20N06-001".

NTD20N06LT4

La description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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