NTD20N03L27

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Spécifications

Modèle de produit

NTD20N03L27
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

NTD20N03L27.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 10A, 5V
Dissipation de puissance (max)

1.75W (Ta), 74W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1260pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

18.9nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4V, 5V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 20A (Ta) 1.75W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

20A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "NTD20N03L27".

NTD18N06-001

La description: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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