MMBTH10RG

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Spécifications

Modèle de produit

MMBTH10RG
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANSISTOR RF NPN SOT23
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.MMBTH10RG.pdf
2.MMBTH10RG.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

40V
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

SOT-23-3
Séries

-
Puissance - Max

225mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

MMBTH10RG-ND
MMBTH10RGTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f)

-
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Gain

-
Fréquence - Transition

450MHz
Description détaillée

RF Transistor NPN 40V 50mA 450MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 1mA, 6V
Courant - Collecteur (Ic) (max)

50mA
Numéro de pièce de base

MMBTH10

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MMBTH81

La description:

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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