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MMBTH81

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MMBTH81
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.MMBTH81.pdf
    2.MMBTH81.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    20V
  • Transistor Type
    PNP
  • Package composant fournisseur
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    225mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    MMBTH81TR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Noise Figure (dB Typ @ f)
    -
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    42 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gain
    -
  • Fréquence - Transition
    600MHz
  • Description détaillée
    RF Transistor PNP 20V 50mA 600MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    50mA
  • Numéro de pièce de base
    MMBTH81

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JAN2N2222AUB

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La description:

Fabricant: Microchip
En stock
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