FDMD8680

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Spécifications

Modèle de produit

FDMD8680
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMD8680.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Package composant fournisseur

8-PQFN (5x6)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7 mOhm @ 16A, 10V
Puissance - Max

39W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Autres noms

FDMD8680-ND
FDMD8680OSTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5330pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

80V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 66A (Tc) 39W Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

66A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "FDMD8680".

FDMD84100

La description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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