FDMD8530

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Spécifications

Modèle de produit

FDMD8530
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 30V 35A
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMD8530.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Package composant fournisseur

Power56
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.25 mOhm @ 35A, 10V
Puissance - Max

2.2W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Autres noms

FDMD8530-ND
FDMD8530TR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

15 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

10395pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

149nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 35A 2.2W Surface Mount Power56
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

35A

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Ce qui suit est des produits liés à "FDMD8530".

FDMD8440L

La description: FET ENGR DEV-NOT REL

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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