FDMB668P

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Spécifications

Modèle de produit

FDMB668P
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMB668P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.9W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Autres noms

FDMB668PTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2085pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 6.1A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6.1A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "FDMB668P".

FDMC012N03

La description: MOSFET N-CH 30V

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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