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1351903FDMA910PZ imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMA910PZ

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Spécifications
  • Modèle de produit
    FDMA910PZ
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    FDMA910PZ.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    6-MicroFET (2x2)
  • Séries
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 9.4A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.4W (Ta)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    6-VDFN Exposed Pad
  • Autres noms
    FDMA910PZCT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    39 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2805pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 4.5V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.8V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    P-Channel 20V 9.4A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    9.4A (Ta)

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NB7L1008MNG

NB7L1008MNG

La description: IC CLK BUFFER 1:8 8GHZ 32QFN

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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