IRFD110PBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRFD110PBF
Fabricant / marque

DIP-4
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRFD110PBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

540 mOhm @ 600mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.3W (Ta)
Emballage

Tube
Package / Boîte

4-DIP (0.300", 7.62mm)
Autres noms

*IRFD110PBF
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRFD110PBF".

IRFD120

La description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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