TPD3215M

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Spécifications

Modèle de produit

TPD3215M
Fabricant / marque

Transphorm
Quantité en stock

En stock
La description

CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TPD3215M.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

-
Package composant fournisseur

Module
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 30A, 8V
Puissance - Max

470W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

Module
Autres noms

TPH3215M
TPH3215M-ND
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2260pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 8V
type de FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET

GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

70A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "TPD3215M".

TPD2S701QDSKRQ1

La description:

Fabricant: Luminary Micro / Texas Instruments

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