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163194UGF8JDHC0G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

UGF8JDHC0G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    UGF8JDHC0G
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    2.3V @ 8A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    600V
  • Package composant fournisseur
    ITO-220AC
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    30ns
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-2 Full Pack
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    18 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 600V 8A Through Hole ITO-220AC
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    500nA @ 600V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    8A
  • Capacité à Vr, F
    -
1206J6300560JCR

1206J6300560JCR

La description: CAP CER 56PF 630V C0G/NP0 1206

Fabricant: Knowles Syfer
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