TSM850N06CX RFG

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Spécifications

Modèle de produit

TSM850N06CX RFG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TSM850N06CX RFG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-23
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 2.3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.7W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

TSM850N06CX RFGCT
TSM850N06CX RFGCT-ND
TSM850N06CXRFGCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

28 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

529pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 3A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "TSM850N06CX RFG".

TSM80N950CI C0G

La description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A ITO220

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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