TSM70N600CI C0G

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Spécifications

Modèle de produit

TSM70N600CI C0G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A ITO220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TSM70N600CI C0G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

ITO-220
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

83W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Autres noms

TSM70N600CI C0G-ND
TSM70N600CIC0G
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

743pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

12.6nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

700V
Description détaillée

N-Channel 700V 8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole ITO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8A (Tc)

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TSM70N900CP ROG

La description: MOSFET N-CH 700V 4.5A TO252

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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