TSM60NB1R4CP ROG

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Spécifications

Modèle de produit

TSM60NB1R4CP ROG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TSM60NB1R4CP ROG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252, (D-Pak)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 900mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

28.4W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

TSM60NB1R4CP ROGCT
TSM60NB1R4CP ROGCT-ND
TSM60NB1R4CPROGCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant

36 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

257.3pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.12nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 3A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "TSM60NB1R4CP ROG".

TSM60NB600CF C0G

La description: MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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