TSM60N06CP ROG

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Spécifications

Modèle de produit

TSM60N06CP ROG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CHANNEL 60V 66A TO252
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TSM60N06CP ROG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252, (D-Pak)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)

44.6W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

TSM60N06CP ROGTR
TSM60N06CP ROGTR-ND
TSM60N06CPROGTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

28 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4382pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 66A (Tc) 44.6W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

66A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "TSM60N06CP ROG".

TSM6025AEUR+T

La description: IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3

Fabricant: Touchstone Semiconductor

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