TSM4NB60CP ROG

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Spécifications

Modèle de produit

TSM4NB60CP ROG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TSM4NB60CP ROG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252, (D-Pak)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max)

50W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

TSM4NB60CP ROGCT
TSM4NB60CP ROGCT-ND
TSM4NB60CPROGCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4A (Tc)

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TSM4N70CH C5G

La description: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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